DDR SDRAM은 "Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory"의 약자입니다. 즉, 동기식 동적 램(SDRAM)의 한 종류로, 기존 SDRAM보다 같은 클럭에서 두 배의 데이터 전송을 할 수 있도록 설계된 메모리 기술을 말합니다. 주요 특징 - Double Data Rate(DDR): 클럭 신호의 상승(rising)과 하강(falling) 에지에서 모두 데이터를 전송하여 같은 클럭 주파수에서 유효 전송률을 두 배로 늘립니다. - Synchronous: 메모리 작동이 시스템 클럭에 동기화되어 명령과 데이터 전송이 정해진 클록 경계에서 일어납니다. - Dynamic RAM: 데이터는 캐패시터에 전하 형태로 저장되며, 주기적인 리프레시가 필요합니다. - 내부 구조: 다중 뱅크(bank)와 파이프라인, 버스트 전송(burst transfer)을 사용해 연속적이고 고속의 데이터 전송을 지원합니다. - 성능 표기: 예를 들어 DDR-400(일명 PC3200)은 400MT/s(메가 전송/초)로, 64비트(8바이트) 버스일 때 이론적 대역폭은 400 × 8 = 3200 MB/s입니다. - 호환성: 세대 간(DDR → DDR2 → DDR3 → DDR4 → DDR5) 물리적·전기적 규격과 프로토콜이 다르므로 슬롯 호환성이 없고 직접 호환되지 않습니다. 실무적 정보 - 처음 세대인 DDR(DDR1)과 이후 세대(DDR2~DDR5)는 모두 DDR 개념을 발전시킨 것이며 각각 전압, 내부 프리페치(prefetch) 폭, 신호 처리 방식 등이 다릅니다(예: DDR1은 대략 2.5V, DDR2는 1.8V, DDR3는 1.5V, DDR4는 1.2V). - 성능을 평가할 때는 클럭(또는 MT/s)과 CAS 레이턴시(CAS latency, CL)를 함께 고려해야 합니다. 높은 전송률이라도 레이턴시가 크면 실제 응답성이 떨어질 수 있습니다. - 사용 분야는 데스크톱/노트북 메인 메모리, 서버 메모리 등 범용 컴퓨팅이 주류입니다. 요약하면, DDR SDRAM은 동일한 클럭 주파수에서 상승과 하강 에지 모두를 이용해 데이터를 전송함으로써 대역폭을 두 배로 늘린 동기식 DRAM 기술입니다.
